1.濺射技術

濺射是指由高能粒子沖擊靶材而將原子從靶材或源材料上噴射出來，沉積在基板（如硅晶片、太陽能電池板或光學器件）的過程。濺射過程開始前，將要鍍膜的基板放置在含有惰性氣體（通常是氬氣）的真空室中，在靶源上施加負電荷，然后靶源沉積到基板，引起等離子體發光。

濺射率因沖擊粒子的能量、入射角度、粒子和靶原子的相對質量、靶原子的表面結合能的不同而變化。物理氣體沉積的幾種不同方法被廣泛的應用于濺射鍍膜機，包括離子束、離子輔助濺射、氧氣環境下反應濺射、氣流和磁電管濺射。

濺射靶材的要求較傳統材料行業高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項雜質含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等等。

2.濺射靶材的主要應用

濺射靶材主要應用于電子及信息產業，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應用于玻璃鍍膜領域；還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業。

3.濺射靶材分類

• 根據成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材

• 根據形狀可分為方靶，圓靶，異型靶

• 根據應用領域分為微電子靶材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材

• 根據應用不同又分為半導體關聯陶瓷靶材、記錄介質陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等

高純高密度濺射靶材包括：金屬靶材（鎳靶，鈦靶等），陶瓷靶材（ITO靶等）和合金靶材（鎳鉻合金靶，鎳銅合金靶等）。濺射靶材的純度可以分為3N-5N.